晶闸管
在运动过程中，电子不断地与气体分子碰撞，使一些气体分子电离，形成新的电子和离子。新电子也向栅极移动，并发生新的电离。
离子 - 阴极运动可以产生“雪崩”。在适当条件下在非常短的时间内处理，在阴极和栅极之间形成等离子体区域。
（见气体排放）。此时，如果阳极具有足够高的正向电压，则等离子体区域中的部分电子将被阳极的电场加速，并且气体分子将在阳极 - 栅极空间中被电离。
极栅之间的等离子体区域快速扩展到阳极 - 栅极空间中。此时，整个晶闸管导通，并且门失去控制。
如果阳极电压下降得非常低并且不足以维持放电电流，放电将仅熄灭。在管排出后，经过一段去离子时间。
放电空间的等离子体区域消失后，电网可恢复原有的控制功能，为下一步工作做好准备。静电控制晶闸管的栅极是负偏压的。
在施加信号电压之后，由阴极发射的部分电子穿过栅极并进入阳极 - 栅极空间。在阳极电场的作用下，“雪崩”是指“雪崩”。
产生放电以形成浇口流管开启。 1.有一定的预热时间。
2.晶闸管灯丝电压要求稳定。 3.应保证氢气。
4.确保晶闸管栅极电压的脉冲宽度和幅度符合要求。 5.闸流管需要保持良好的通风和散热状态。
6.监控晶闸管随时工作时产生的声音和电弧。在晶闸管工作一段时间后，由于静电吸附，一些灰尘会粘在管子的外壁上。
对于玻璃管，可以用纱布和高纯度的醇溶液擦拭;对于陶瓷管，需要进行干燥。擦拭丝绸布，最好不要使用酒精。
切勿用水！晶闸管通常用作调制器的开关元件。它在核聚变，加速器，激光，等离子体研究，航空航天和医学领域具有广泛的应用。
规则1为了接通晶闸管（或三端双向可控硅），必须存在栅极电流RIGT，直到负载电流达到RIL。必须满足这一条件，并在可能遇到的最低温度下考虑。
规则2.为了断开（切换）晶闸管（或三端双向可控硅开关元件），负载电流必须是＆lt; IH并且保持足够的时间以返回到关断状态。必须在尽可能高的工作温度下满足上述条件。
规则3.设计三端双向可控硅触发电路时，尽可能避免使用3+象限（WT2-，G +）。规则4.为了减少杂波吸收，栅极长度最小化。
返回线直接连接到MT1（或阴极）。如果使用硬线，请使用螺旋双线或屏蔽线。
在栅极和MT1之间增加1kΩ或更小的电阻。栅极之间有高频旁路电容和串联电阻。
另一种解决方案是使用H系列低灵敏度双向晶闸管。规则5.如果dVD / dt或dVCOM / dt可能导致问题，请在MT1和MT2之间添加RC缓冲电路。
如果高dICOM / dt可能会导致问题，请添加几mH的电感和串联负载。另一种解决方案是使用Hi-Com三端双向可控硅。
规则6.如果在严重的异常电源瞬变期间可能超过三端双向可控硅开关的VDRM，请使用以下措施之一：负载上具有几μH串联电感的不饱和电感器，以限制dIT / dt;使用MOV连接电源并在电源侧添加滤波器电路。规则7.选择一个好的门触发电路以避免3+象限条件并最大化三端双向可控硅开关的dIT / dt容差。
规则8.如果可能超过三端双向可控硅开关的dIT / dt，最好将几μH无铁电感器或负温度系数热敏电阻与负载串联。另一种解决方案：电阻负载的零电压传导。
规则9.当设备连接到散热器时，避免对三端双向可控硅开关施加压力。固定然后焊接引线。
不要将铆钉心轴放在设备接口件的侧面。规则10.对于长期可靠的操作，应确保Rth j-a足够低以保持Tj不高于Tjmax，并且其值对应于可能的最高环境温度。
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