二次创新的系统级封装技术的电磁干扰屏蔽技术的详细说明

今天,我将为您带来第二个演讲,让我们谈谈第二次创新的系统级封装技术-EMI屏蔽技术。

由于系统级封装本身在制造过程中使用了大量的高密度电路和多种材料的封装材料,因此还需要考虑芯片与各种功能器件之间的配合,封装结构更加复杂。

,因此会有电路陪伴。

组件之间的电磁干扰。

为了解决这个问题,长江电子科技目前有一系列导入批量生产的高效电磁干扰屏蔽技术解决方案。

下图显示了由长江电子技术有限公司成功量产的高效电磁干扰屏蔽SiP RF前端模块产品的示例。

在电磁干扰屏蔽材料(EMIShieldingMaterials)方面,技术创新的盛宴正在全球范围内上演。

无论是杜邦,汉高,信越化学,东洋油墨等传统材料巨头,还是Ntrium等新的EMI屏蔽材料先驱,他们都在争相推出质量更可靠,功能更全面的新产品和工艺解决方案。

效果和更实惠的价格。

对于大多数倒装芯片(FlipChip)系统级封装产品,单核(PerDie)的平均功率范围通常在1W至15W之间,因此局部热导率(LocalThermalConductivity)是测试产品整体性能的关键。

SiP系统一环。

当前有几种可用于提高散热性能的技术解决方案:芯片背面暴露技术,高导热塑料包装材料技术,芯片背面金属板安装技术(例如HeatSink),基底金属内层增厚技术和芯片背面金属化技术(BacksideMetallizationTechnology)。

长江电子技术有限公司的工程验证结果表明,与其他解决方案相比,芯片背面金属化技术更适合于增强中低功率范围内倒装芯片结构的导热性。

在相同的成本条件下,散热效果可以达到一定程度。

25%是立竿见影的效果。

电磁干扰屏蔽材料的背面金属化技术也可以用于芯片的背面金属化。

如下图所示,长江电子科技已获得该技术方案的多项发明专利。

从材料到工艺,从技术到解决方案,长江电子科技不断创新,在电磁干扰屏蔽技术领域的强大技术实力和广泛的产品覆盖率做出了贡献。

系统级封装(SiP)技术是当前的热包装技术领域,在长江电子技术强大的EMI技术的支持下,可以有效地完成对潜在电磁干扰的屏蔽,并满足全球市场需求。

在下一期中,我们将继续解释和介绍“创新的第三次运输”。

系统级封装(SiP)技术,激光辅助键合技术,敬请期待!原始标题:SiP技术系统中三个创新支架的详细说明(2)文章来源:[微信公众号:长江电子技术]欢迎关注!请指出转载文章的来源。

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